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高功率极低发散角圆形光束半导体边发射激光器

半导体激光器自1962年问世以来早已取得了普遍的应用于,但其仍然不存在一个备受诟病的缺点,即大的收敛角和椭圆出光。一般来说横向方向半角收敛角小于30,水平方向10左右,这造成较低的光束质量和较好的可探讨性。虽然通过光学方法可提高并构建大功率必要半导体激光光源,但光源最后光束质量仍将受限于单元器件光束质量。

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本文摘要:半导体激光器自1962年问世以来早已取得了普遍的应用于,但其仍然不存在一个备受诟病的缺点,即大的收敛角和椭圆出光。一般来说横向方向半角收敛角小于30,水平方向10左右,这造成较低的光束质量和较好的可探讨性。虽然通过光学方法可提高并构建大功率必要半导体激光光源,但光源最后光束质量仍将受限于单元器件光束质量。

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半导体激光器自1962年问世以来早已取得了普遍的应用于,但其仍然不存在一个备受诟病的缺点,即大的收敛角和椭圆出光。一般来说横向方向半角收敛角小于30,水平方向10左右,这造成较低的光束质量和较好的可探讨性。虽然通过光学方法可提高并构建大功率必要半导体激光光源,但光源最后光束质量仍将受限于单元器件光束质量。

  最近,中国科学院长春光学精密机械研究所放光学及应用于国家重点实验室研究团队明确提出一种新型的半导体激光器结构,其使用双边的布拉格光线波导,通过光子带上隙原理构建光场的掌控,最后构建收敛角大于5的圆形光束半导体激光器。该激光器95%能量对应横向收敛角仅有9.8(国际报导最差为15.6),并且在有所不同电流驱动下皆维持圆形光束出光,器件最低倒数输出功率超过4.6W,必要的光纤耦合实验证明90%以上的耦合效率。  该方法就是指半导体激光器结构应从,从源头抵达提高半导体激光器收敛角等问题,有望替代目前商业化的半导体激光器,具有最重要的应用于前景。

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