【威9国际真人】导致元器件失效的因素有哪些？
元件的过热必要不受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。1、温度造成过热：环境温度是造成元件过热的最重要因素温度变化对半导体器件的影响：包含双极型半导体器件的基本单元P-N们会温度的变化很脆弱，当P-N结偏移偏置时，由少数载流子构成的偏移溢电流不受温度的变化影响，其关系为：式中：ICQ―――温度T0C时的偏移溢电流ICQR――温度TR℃时的偏移溢电流T－TR――温度变化的绝对值由上式可以显现出，温度每增高10℃，ICQ将增加一倍。
元件的过热必要不受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。1、温度造成过热：环境温度是造成元件过热的最重要因素温度变化对半导体器件的影响：包含双极型半导体器件的基本单元P-N们会温度的变化很脆弱，当P-N结偏移偏置时，由少数载流子构成的偏移溢电流不受温度的变化影响，其关系为：式中：ICQ―――温度T0C时的偏移溢电流ICQR――温度TR℃时的偏移溢电流T－TR――温度变化的绝对值由上式可以显现出，温度每增高10℃，ICQ将增加一倍。
这将导致晶体管放大器的工作点再次发生飘移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化，动态范围变大。温度与容许功耗的关系如下：式中：PCM―――仅次于容许功耗TjM―――最低容许结温T――――用于环境温度RT―――热阻由上式可以显现出，温度的增高将使晶体管的仅次于容许功耗上升。由于P-N拢的相反压降不受温度的影响较小，所以用P-N为基本单元包含的双极型半导体逻辑元件（TTL、HTL等集成电路）的电压传输特性和抗干扰度也与温度有紧密的关系。
当温度增高时，P-N拢的相反压降增大，其门口和关门电平都将增大，这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的增高而变大；高电平抗干扰电压容限随温度的增高而减小，导致输入电平位移、波形杂讯、稳态紊乱，甚至热击穿。温度变化对电阻的影响温度变化对电阻的影响主要是温度增高时，电阻的热噪声减少，阻值背离标称值，容许力学系统概率上升等。比如，RXT系列的碳膜电阻在温度增高到100℃时，容许的力学系统概率仅有为标称值的20％。
但我们也可以利用电阻的这一特性，比如，有经过类似设计的一类电阻：PTC（于是以温度系数热敏电阻）和NTC（负温度系数热敏电阻），它们的阻值不受温度的影响相当大。对于PTC，当其温度增高到某一阈值时，其电阻值不会急遽减小。
利用这一特性，可将其用在电路板的过流维护电路中，当由于某种故障导致通过它的电流减少到其阈值电流后，PTC的温度急遽增高，同时，其电阻值逆大，容许通过它的电流，超过对电路的维护。而故障回避后，通过它的电流增大，PTC的温度恢复正常，同时，其电阻值也完全恢复到其正常值。对于NTC，它的特点是其电阻值随温度的增高而增大。
温度变化对电容的影响温度变化将引发电容的到介质损耗变化，从而影响其使用寿命。温度每增高10℃时，电容器的寿命就减少50％，同时还引发阻容时间常数变化，甚至再次发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
此外，温度增高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能上升。
本文关键词：【,威,国际,真人,】,导致,元器件,失效,威9国际真人,的,因
本文来源：威9国际真人-www.cptouxiang.com