英飞凌发布新能源车高速开关应用技术

本文摘要：英飞凌科技股份公司前不久公布了需要让应用于汽车中的高速电源构建最低效率的高坚固性650VIGBT系列。该系列TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT合乎AEC-Q标准，可减少诸如车载电池、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流切换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用于的功率损耗并提升其可靠性。 全新IGBT系列切断电压比前代汽车级IGBT低50V。此外，归功于英飞凌TRENCHSTOPTM5厚晶圆技术，该系列产品超过同类最佳效率。

英飞凌科技股份公司前不久公布了需要让应用于汽车中的高速电源构建最低效率的高坚固性650VIGBT系列。该系列TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT合乎AEC-Q标准，可减少诸如车载电池、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流切换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用于的功率损耗并提升其可靠性。

　　全新IGBT系列切断电压比前代汽车级IGBT低50V。此外，归功于英飞凌TRENCHSTOPTM5厚晶圆技术，该系列产品超过同类最佳效率。

与现有的尖端技术比起，全新IGBT的饱和状态电压（VCE）减少了200mV，开关损耗减为，并且栅极电荷减少2.5倍。同时，由于开关损耗和导通损耗双双减少，与替代技术比起，全新IGBT系列在完全相同的应用于中拢保守外壳温度更加较低。这不仅提升了器件的可靠性，而且仅次于程度减少了加热市场需求。　　通过用于TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT，电动汽车设计师可实现器件效率提高所带给的额外优势，即需要缩短续航里程或增大电池尺寸。

对混合动力汽车来说，效率提升意味著减少总燃油消耗和增加二氧化碳废气。另外，TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT器件的卓越性能使得其能转入目前主要使用MOSFET技术的应用于，并为设计师获取基于有所不同半导体芯片技术的普遍自由选择。

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